Nag-iisang Crystal Growth Furnace

Itinatampok na Larawan ng Single Crystal Growth Furnace

Maikling Paglalarawan:

Ang single crystal furnace ay tinatawag ding mono crystal furnace, ito ay isang aparato na natutunaw ang mga polycrystalline na materyales tulad ng polysilicon na may graphite heater sa isang inert gas (nitrogen at helium gas) na kapaligiran at nagpapalaki ng mga solong kristal na walang dislokasyon sa pamamagitan ng paggamit ng direct-pull method.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Aplikasyon

Ang nag-iisang crystal furnace ay kadalasang ginagamit para sa lumalaking semiconductor ingots ng Silicon, Sapphire o Germanium.Ang mga karaniwang layout ay mga vertical na kristal na pullers na may access sa pintuan na nagbubukas sa harap.

Mga kalamangan

Matitiyak natin ang dalawang pinakamahalagang parameter na kinakailangan para sa kritikal na paglago: katatagan at kontrol.Parehong kinakailangan upang makamit ang pare-pareho, repeatability, at pagkakapareho - ang mga susi sa matagumpay na paglaki ng kristal sa laboratoryo at sa produksyon.

1. Ang katatagan ay nagbibigay sa nagtatanim ng kristal ng isang kilala at palagiang kapaligiran para sa hinihingi na paglaki ng kristal.Tinitiyak ng katatagan ang pare-pareho, mahigpit na tinukoy na temperatura at mga thermal gradient para sa pare-parehong pagkatunaw at pagpino ng zone.Ang katatagan ay nangangailangan ng mahusay na kontroladong gaseous o vacuum na kapaligiran.Ang katatagan sa paglaki ng kristal ay nangangailangan ng maayos, lubos na pare-pareho, walang vibration na mga galaw na may malalaki at dynamic na hanay, programmable una at pangalawang derivatives at multi-axis na mga pagsasaayos - ngunit lahat ay dapat kontrolin.

2. Nakakamit ang kontrol sa pamamagitan ng aming awtomatikong interface ng computer system na nagtataglay ng mga temperatura nang eksakto kung saan nakatakda ang mga ito at patuloy na nagbabago nang mabilis at maayos sa mga bagong value na may kaunting overshoot.Ang sistema ng paggalaw ay dapat magbigay ng mga rate ng paghila na lubos na pare-pareho sa parehong oras at espasyo sa bawat sandali at bawat linggo.Ang katumpakan ng posisyon ay dapat mapanatili sa pamamagitan ng kumpletong ikot ng draw upang matiyak ang pare-pareho at paulit-ulit na mga resulta mula sa crystal growth system.

3. Nagbibigay sa iyo ng isang kumpletong, pinagsamang Precision Crystal Growing Equipmentna may awtomatikong kontrol sa diameter, nangunguna sa mga teknolohiyang crucible.